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Propriet� fisiche di film sottili di ossido d'argento puro e drogato con rame

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I film sottili di ossido metallico conduttore trasparente (TCO) sono stati oggetto dell'attenzione di molti ricercatori per le loro applicazioni nell'elettronica trasparente, come le celle solari a eterogiunzione, i sensori di gas, i dispositivi elettrocromici, i rivestimenti antibatterici, ecc. L'ossido di argento puro (Ag2O) e l'ossido di argento drogato con rame (Ag2Cu2O3 e Ag2Cu2O4) sono ossidi trasparenti che presentano una conduttività di tipo p. Le proprietà di questi materiali dipendono dal metodo di preparazione e dalle condizioni di deposizione mantenute durante la crescita del film. Questo libro si occupa delle condizioni ottimizzate dei film sottili di ossido d'argento puro (Ag2O) e di ossido d'argento drogato con rame (Ag2Cu2O3 e Ag2Cu2O4) formati su substrati di silicio e vetro di tipo p, utilizzando la tecnica di sputtering magnetronico reattivo a radiofrequenza, e ne ha studiato la struttura e la morfologia superficiale, la composizione, le proprietà elettriche e ottiche. L'approccio promettente per preparare film di Ag2O monofase di buona qualità per elettrodi in applicazioni di microbatterie e film di Ag-Cu-O per sensori di gas, celle solari e antibatterici è stato chiaramente discusso in questo libro.
I film sottili di ossido metallico conduttore trasparente (TCO) sono stati oggetto dell'attenzione di molti ricercatori per le loro applicazioni nell'elettronica trasparente, come le celle solari a eterogiunzione, i sensori di gas, i dispositivi elettrocromici, i rivestimenti antibatterici, ecc. L'ossido di argento puro (Ag2O) e l'ossido di argento drogato con rame (Ag2Cu2O3 e Ag2Cu2O4) sono ossidi trasparenti che presentano una conduttività di tipo p. Le proprietà di questi materiali dipendono dal metodo di preparazione e dalle condizioni di deposizione mantenute durante la crescita del film. Questo libro si occupa delle condizioni ottimizzate dei film sottili di ossido d'argento puro (Ag2O) e di ossido d'argento drogato con rame (Ag2Cu2O3 e Ag2Cu2O4) formati su substrati di silicio e vetro di tipo p, utilizzando la tecnica di sputtering magnetronico reattivo a radiofrequenza, e ne ha studiato la struttura e la morfologia superficiale, la composizione, le proprietà elettriche e ottiche. L'approccio promettente per preparare film di Ag2O monofase di buona qualità per elettrodi in applicazioni di microbatterie e film di Ag-Cu-O per sensori di gas, celle solari e antibatterici è stato chiaramente discusso in questo libro.

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