Ele fornece um breve resumo sobre como o gap de energia é encontrado e suas aplicações. A densidade do elétron é muito maior do que a densidade do buraco no semicondutor do tipo n representado como ne nh enquanto, no semicondutor do tipo p, a densidade do buraco é muito maior que a densidade eletrônica: nh ne.Em um semicondutor tipo n, o nível de energia do doador está próximo da banda de condução e longe da banda de valência. Enquanto no semicondutor tipo p, o nível de energia do aceitador está próximo da banda de valência e longe da banda de condução.A impureza adicionada no semicondutor do tipo p fornece buracos extras conhecidos como átomos aceitadores, enquanto no semicondutor do tipo n a impureza fornece elétrons extras chamados átomos doadores.O nível de Fermi do semicondutor tipo n fica entre o nível de energia do doador e a banda de condução, enquanto o do semicondutor tipo p está entre o nível de energia do aceitador e a banda de valência.No semicondutor tipo p, os portadores majoritários movem-se do potencial mais alto para o mais baixo, em contraste com o tipo n, onde os portadores majoritários se movem do potencial mais baixo para o mais alto.