В настоящей работе мы использовали оптические свойства чистых и легированных тонких пленок оксида цинка в качестве полупроводника n-типа. Тонкие пленки были осаждены при различной молярности прекурсоров методами ультразвукового распыления и распылительного пиролиза, а также при различных температурах подложки. Тонкие пленки ZnO, легированные различными легирующими элементами, такими как Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. В данной работе внимание было сосредоточено на новом подходе к расчету энергии оптического зазора и энергии Урбаха. Была изучена модель, предложенная для расчета энергии оптической щели или энергии Урбаха для недопированных и допированных тонких пленок ZnO. Связь между экспериментальными данными и теоретическими расчетами с молярностью прекурсоров показывает, что полосовая щель или энергия Урбаха преимущественно оценивается полосовой щелью или энергией Урбаха и концентрацией раствора ZnO.