Indiumoxid kristallisiert in der Bixbyit-Struktur. Metalloxid-Nanostrukturen sind sowohl in den Grundlagen- als auch in den angewandten Wissenschaften von zunehmendem Interesse, und In2O3 ist eines der fähigsten Halbleitermaterialien. Die Auswirkungen hochempfindlicher und schnell reagierender Gassensoren, die In2O3-Nanostrukturen verwenden, werden ebenfalls erörtert, und ihre strukturellen Parameter wurden durch den Einsatz von Rietveld-Techniken unter Verwendung der Software JANA 2006 verfeinert. Die Elektronendichten wurden in verschiedenen Richtungen gefunden und die Bindungsart zwischen den Atomen wurde analysiert, wobei die grafischen Werkzeuge wie PRIMA und VESTA die Elektronendichten in einer, zwei und drei Dimensionen visualisiert haben.